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Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription The8810usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected. StandardProduct8810isPb-free(meetsRO

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓鋒半導體深圳市拓鋒半導體科技有限公司

TUOFENG

DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET

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HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

HOTTECH

DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBSEMI

N-channelpowerMOSfieldeffecttube

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FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd.

富滿微富滿微電子集團股份有限公司

FUMAN

ThermallyConductiveAdhesiveTransferTapes

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3M

3M Electronics

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更新時間：2025-7-7 19:59:01
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