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M295V040-120K6R中文資料
M295V040-120K6R數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書PDF詳情
DESCRIPTION
The M29F040 is a non-volatile memory that may be erased electrically at the block level, and programmed Byte-by-Byte.
■ M29F040 is replaced by the M29F040B
■ 5V ± 10 SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM,
ERASE and READ OPERATIONS
■ FAST ACCESS TIME: 70ns
■ BYTE PROGRAMMING TIME: 10μs typical
■ ERASE TIME
– Block: 1.0 sec typical
– Chip: 2.5 sec typical
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)
– Program Byte-by-Byte
– Data Polling and Toggle bits Protocol for
P/E.C. Status
■ MEMORY ERASE in BLOCKS
– 8 Uniform Blocks of 64 KBytes each
– Block Protection
– Multiblock Erase
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES
■ LOW POWER CONSUMPTION
– Read mode: 8mA typical (at 12MHz)
– Stand-by mode: 25μA typical
– Automatic Stand-by mode
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
■ 20 YEARS DATA RETENTION
– Defectivity below 1ppm/year
■ ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 20h
– Device Code: E2h
M295V040-120K6R產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào)
M295V040-120K6R
- 制造商
STMICROELECTRONICS
- 制造商全稱
STMicroelectronics
- 功能描述
4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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STMicroelectronics 意法半導(dǎo)體集團(tuán)
意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics) 成立于1987年,總部位于瑞士日內(nèi)瓦和法國(guó)巴黎,是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司。意法半導(dǎo)體專注于設(shè)計(jì)、制造和銷售各種半導(dǎo)體解決方案,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、消費(fèi)電子、通信等領(lǐng)域。 意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品包括微控制器、模擬集成電路、功率半導(dǎo)體、傳感器等。公司擁有多個(gè)研發(fā)中心和生產(chǎn)基地,致力于技術(shù)創(chuàng)新和研發(fā)投入。意法半導(dǎo)體在全球范圍內(nèi)擁有廣泛的客戶群和合作伙伴,為客戶提供高品質(zhì)的產(chǎn)品和解決方案。 公司的使命是通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)推動(dòng)智能化和可持續(xù)發(fā)展,助力客戶取得成功。意法半導(dǎo)體不僅注重商業(yè)成功,還注重社會(huì)責(zé)任、環(huán)境保護(hù)和可持續(xù)經(jīng)營(yíng)。企業(yè)價(jià)值觀包括創(chuàng)新、尊重