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型號(hào) | 功能描述 | 生產(chǎn)廠家 企業(yè) | LOGO | 操作 |
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STD30NE06LT4 | N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A TO-252 DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size? strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remark | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | ||
STD30NE06LT4 | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 175 °C Junction Temperature | VBSEMI 微碧半導(dǎo)體 | ||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 175 °C Junction Temperature | VBSEMI 微碧半導(dǎo)體 | |||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 175 °C Junction Temperature | VBSEMI 微碧半導(dǎo)體 |
STD30NE06LT4產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào)
STD30NE06LT4
- 功能描述
MOSFET N-Ch 60 Volt 30 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶體管極性
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓
650 V
- 閘/源擊穿電壓
25 V
- 漏極連續(xù)電流
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安裝風(fēng)格
Through Hole
- 封裝/箱體
Max247
- 封裝
Tube
IC供應(yīng)商 | 芯片型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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ST |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
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ST |
25+ |
TO-252 |
16900 |
原裝,請(qǐng)咨詢 |
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ST |
23+ |
TO-252 |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
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ST |
24+ |
TO-252 |
90000 |
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價(jià)格合理 |
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ST |
17+ |
TO-252 |
6200 |
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ST/意法 |
20+ |
SOT252 |
2000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
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SST |
原廠封裝 |
9800 |
原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨假一賠百 |
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ST |
23+ |
TO252 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
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ST |
24+ |
TO252DPAK |
8866 |
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VBsemi |
25+ |
TO252 |
6212 |
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