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型號 功能描述 生產廠家&企業(yè) LOGO 操作
SPI12N50C3

Cool MOS??Power Transistor

Feature ? New revolutionary high voltage technology ? Ultra low gate charge ? Periodic avalanche rated ? Extreme dv/dt rated ? Ultra low effective capacitances ? Improved transconductance ? P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)

Infineon

英飛凌

SPI12N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor

? DESCRITION ? New revolutionary high voltage technology ? Ultra low effective capacitance ? FEATURES ? Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.38? ? Enhancement mode ? Fast Switching Speed ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and relia

ISC

無錫固電

SPI12N50C3

New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated

文件：2.01852 Mbytes Page：14 Pages

Infineon

英飛凌

SPI12N50C3

Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

文件：644.87 Kbytes Page：14 Pages

Infineon

英飛凌

Cool MOS Power Transistor

Feature ? New revolutionary high voltage technology ? Ultra low gate charge ? Periodic avalanche rated ? Extreme dv/dt rated ? Ultra low effective capacitances ? Improved transconductance ? Pb-free lead plating; RoHS compliant ? Qualified according to JEDEC0) for target applications

Infineon

英飛凌

N-Channel MOSFET Transistor

? DESCRITION ? New revolutionary high voltage technology ? Ultra low effective capacitance ? FEATURES ? Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.6? ? Enhancement mode ? Fast Switching Speed ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance an

ISC

無錫固電

N-Channel MOSFET Transistor

? DESCRITION ? New revolutionary high voltage technology ? Ultra low effective capacitance ? FEATURES ? Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.6? ? Enhancement mode ? Fast Switching Speed ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance an

ISC

無錫固電

isc N-Channel MOSFET Transistor

? DESCRITION ? Improved Transconductance ? FEATURES ? Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤380m? ? Enhancement mode: ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

ISC

無錫固電

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.03243 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半導體

SPI12N50C3產品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    SPI12N50C3

  • 功能描述

    MOSFET COOL MOS N-CH 560V 11.6A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安裝風格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    Max247

  • 封裝

    Tube

更新時間：2025-9-10 19:09:00
IC供應商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TODA
24+
NA
990000
明嘉萊只做原裝正品現貨
TODAISU
10+
SMD
147
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
INFINEON/英飛凌
23+
NA
500
電子元器件供應原裝現貨. 優(yōu)質獨立分銷。原廠核心渠道
INFINEON/英飛凌
22+
N/A
12245
現貨,原廠原裝假一罰十!
INFINEON/英飛凌
2450+
NA
9850
只做原廠原裝正品現貨或訂貨假一賠十!
INFINEON
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TO-262
8500
原廠原包原裝公司現貨,假一賠十,低價出售
Infineon(英飛凌)
24+
-
7793
支持大陸交貨,美金交易。原裝現貨庫存。
Infineon Technologies
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原廠渠道,現貨配單
Infineon
原廠封裝
9800
原裝進口公司現貨假一賠百
INFINEON
23+
TO-262
11846
一級代理商現貨批發(fā),原裝正品,假一罰十

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    聯系人：劉冬英 電話：0755-83203002 手機：18138231376 QQ號：1546282226、微信號：18138231376 公司名稱：深圳市光華微科技有限公司 Shenzhen Guanghua Micro Technology Co.， Ltd 公司地址：深圳市福田區(qū)振興路華勻大廈1棟712室

    2019-10-14

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