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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
SI4558DY-T1-E3

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.23457 Mbytes Page:14 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

SI4558DY-T1-E3產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    SI4558DY-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 6A 2.4W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安裝風(fēng)格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    Max247

  • 封裝

    Tube

更新時(shí)間:2025-9-12 23:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VISHAY/威世
24+
NA/
2500
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
VISHAY/威世通
20+
SOP-8
63258
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
VISHAY
20+
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2960
誠(chéng)信交易大量庫存現(xiàn)貨
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