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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
RJP60F4DPM

600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching

Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25°C) ● Trench gate and thin wafer technology ● High speed switching

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瑞薩

600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching

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封裝/外殼：TO-220-3 整包 包裝：管件 描述：IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

ETC

知名廠家

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.4 V typ. (at IC= 30 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf= 80 ns typ. (at IC=

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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件：88.06 Kbytes Page：7 Pages

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RJP60F4DPM產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    RJP60F4DPM

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全稱

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching

更新時間：2025-8-15 17:10:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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24+
TO3P
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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24+
TO247
80000
只做自己庫存 全新原裝進口正品假一賠百 可開13%增
RENESAS/瑞薩
23+
TO-247
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
Renesas
22+
TO3PFM
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
RENESAS/瑞薩
22+
TO-3PFM
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
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24+
TO-3P
16900
原裝正品現(xiàn)貨支持實單
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25+
TO-3P
12300
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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18+
TO-3P
1147
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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20+
TO-3P
175
進口原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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23+
TO-3P
175
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨

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