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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
RJP30H1DPD

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) * High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ. * Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ. * Low leak current: ICES= 1 ?A max.

RENESAS

瑞薩

RJP30H1DPD

N-Channel Power MOSFET / TO-263

RENESAS

瑞薩

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

Features ● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) ● High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ. ● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ. ● Low leak current: ICES = 1 ?A max. ● Isolated package TO-220FL

RENESAS

瑞薩

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) * High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ. * Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ. * Low leak current: ICES= 1 ?A max.

RENESAS

瑞薩

RJP30H1DPD產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    RJP30H1DPD

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全稱

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

更新時(shí)間：2025-9-19 17:21:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Renesas(瑞薩)
23+
原廠封裝
32078
10年以上分銷商,原裝進(jìn)口件,服務(wù)型企業(yè)
RENESAS/瑞薩
24+
TO-252
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
IR
24+
TO-252
501136
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
RENESAS
23+
TO-220
30000
代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢
RENESAS/瑞薩
24+
TO-252
400
只做原廠渠道 可追溯貨源
RENESAS
原廠封裝
9800
原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨假一賠百
RENESAS
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
RENESAS
24+
SOT252
80000
只做自己庫存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增
RENESAS
18+
TO-252
85600
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
IR
23+
TO-252
6000
原裝正品，支持實(shí)單

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