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SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistanceRDS(on)=0.036Ωtyp.(atID=22.5A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching

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瑞薩瑞薩科技有限公司

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更新時間:2025-7-25 23:00:01
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