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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
RJK03P9DPA

Built in SBD Dual N-channel Power MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞薩

Built in SBD Dual N-channel Power MOS FET High Speed Power Switching

文件:335.9 Kbytes Page:11 Pages

RENESAS

瑞薩

Double-Ended Cordsets

BCC M415-M323-3F-300-VX8334-030 Basic features Approval/Conformity CE cULus WEEE

Balluff

巴魯夫

Inductive Sensors

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Balluff

巴魯夫

RJK03P9DPA產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    RJK03P9DPA

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全稱

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Built in SBD Dual N-channel Power MOS FET High Speed Power Switching

更新時間:2025-9-1 20:00:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS/瑞薩
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NA/
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鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨

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