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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The 8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product 8810 is Pb-free (meets RO

TUOFENG

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Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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合科泰深圳市合科泰電子有限公司

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N-channel power MOS field effect tube

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富滿微

Thermally Conductive Adhesive Transfer Tapes

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3M

更新時間:2025-9-3 13:01:01
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