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MOSFETs Silicon P-Channel MOS

Applications ? Power Management Switches Features (1) 1.2-V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 390 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V, ID = -800 mA) RDS(ON) = 480 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V, ID = -500 mA) RDS(ON) = 660 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V, ID = -200 mA) RDS(ON) = 900 mΩ (max) (@VGS

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更新時間：2025-8-23 22:50:01
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