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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance; -RDS(on)=8.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

Zener-ProtectedSuperMESHMOSFET

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STMICROELECTRONICS

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

VBSEMI

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

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更新時間:2025-7-22 17:30:01
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