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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
PHE13003C,412

封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） 包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 描述：TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

WEEN

瑞能半導(dǎo)體

PHE13003C,412產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    PHE13003C,412

  • 功能描述

    兩極晶體管 - BJT Silicon diffused power transistor

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安裝風(fēng)格

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體

    PowerFLAT 2 x 2

更新時間：2025-8-11 18:22:00
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