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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作

封裝/外殼：38-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬） 包裝：卷帶（TR） 描述：IC GATE DRVR HDMI 38TSSOP 集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器

ETC

知名廠家

N-channel TrenchMOS standard level FET

General description Standard level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology. Features ■ Low on-state resistance ■ Fast switching ■ Low thermal resistance ■ Low gate charge. Applications ■ DC-to-DC primary side switching ■ AC-to

Philips

飛利浦

N-channel TrenchMOS standard level FET

ETC

知名廠家

N-channel TrenchMOS standard level FET

1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and benefits H

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 42mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

無錫固電

N-Channel 150V (D-S) MOSFET

文件：1.00585 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

PHD45NQ15T產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    PHD45NQ15T

  • 功能描述

    兩極晶體管 - BJT TRENCH-150

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安裝風(fēng)格

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體

    PowerFLAT 2 x 2

更新時(shí)間：2025-8-10 11:06:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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38-TSSOP
65200
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PLCC68
3000
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718
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2022+
SOT428(D-PAK)
48000
只做原裝,原裝,假一罰十
恩XP
23+
TO-252
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種

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