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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 22A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 120mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

無(wú)錫固電

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件:91.52 Kbytes Page:12 Pages

Philips

飛利浦

更新時(shí)間:2025-8-10 11:04:01
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