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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg and UIS Tested ? Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS ? OR-ing ? Server ? DC/DC

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: The ADM80N03Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with l

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愛德微

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

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富鼎先進(jìn)電子

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更新時間：2025-8-18 23:01:01
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