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PHB4ND40E

PowerMOStransistorsFREDFET,Avalancheenergyrated

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PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

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FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

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GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,incorporatingaFastRecoveryEpitaxialDiode(FRED).Thisgivesimprovedswitchingperformanceinhalfbridgeandfullbridgeconvertersmakingthisdeviceparticularlysuitableforinverters,lightingballastsandmo

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更新時間：2025-7-22 22:50:00
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