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TrenchMOS??logiclevelFET

Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?technology. Productavailability: PHB101NQ03LTinSOT404(D2-PAK) PHD101NQ03LTinSOT428(D-PAK). Features ■Lowgatecharge ■Lowon-stateresistance. Applications ■Optimizedas

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

TrenchMOS??logiclevelFET

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N-channelTrenchMOSlogiclevelFET

ETC

知名廠家

N-channelTrenchMOSlogiclevelFET

1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits ?Low

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

NEXPERIA

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC
更新時間：2025-7-21 20:00:01
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