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型號 功能描述 生產廠家&企業(yè) LOGO 操作
PH3135-65M

RadarPulsedPowerTransistor,65Watts,3.10-3.50GHz,100usPulse,10Duty

Features ■NPNSiliconMicrowavePowerTransistor ■CommonBaseConfiguration ■BroadbandClassCOperation ■HighEfficiencyInterdigitatedGeometry ■GoldMetalizationSystem ■InternalInputandOutputImpedanceMatching ■HermeticMetal/CeramicPackage

MACOMTyco Electronics

瑪科姆技術方案控股有限公司

MACOM
PH3135-65M

RadarPulsedPowerTransistor65W,3.1-3.5GHz,100關sPulse,10Duty

Features ?NPNsiliconmicrowavepowertransistors ?Commonbaseconfiguration ?BroadbandClassCoperation ?Highefficiencyinter-digitizedgeometry ?Diffusedemitterballastingresistors ?Goldmetallizationsystem ?Internalinputandoutputimpedancematching ?Hermeticmetal/cerami

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M/A-COM Technology Solutions, Inc.

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PH3135-65M

RadarPulsedPowerTransistor

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PH3135-65M

包裝：托盤 描述：RF TRANS NPN 65V 分立半導體產品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

ETC

知名廠家

RadarPulsedPowerTransistor

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Microwavepowertransistor

DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialmicrowavepowertransistorina2-leadrectangularflangepackagewithaceramiccap(SOT422A)withthecommonbaseconnectedtotheflange. FEATURES ?Suitableforshortandmediumpulseapplications ?Internalinputandoutputmatchingnetworksforan

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PH3135-65M產品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    PH3135-65M

  • 功能描述

    射頻雙極電源晶體管

  • RoHS

    否

  • 制造商

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置

    Single 直流集電極/Base Gain hfe

  • Min

    40

  • 最大工作頻率

    30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    25 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO

    4 V

  • 集電極連續(xù)電流

    20 A

  • 功率耗散

    250 W

  • 封裝/箱體

    Case 211-11

  • 封裝

    Tray

更新時間：2025-7-28 18:35:00
IC供應商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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進口原裝現貨
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全新原裝現貨,一片也是批量價。
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只做原裝,價格優(yōu)惠,長期供貨。
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