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Wireless Bipolar Power Transistor, 4W 1.78 - 1.90 GHz

Features ? NPN Silicon Microwave Power Transistor ? Designed for Linear Amplifier Applications ? Class AB: -34 dBc Typ 3rd IMD at 4 Watts PEP ? Class A: +44 dBm Typ 3rd Order Intercept Point . ? Common Emitter Configuration ? Internal Input Impedance Matching ? Diffused Emitter Ballasting

MACOM

Wireless Bipolar Power Transistor

Features ? NPN silicon microwave power transistor ? Designed for linear amplifier applications ? Class AB: -34 dBc typ. 3rd IMD at 4 W PEP ? Class A: +44 dBm typ. 3rd order intercept point - ? Common emitter configuration ? Internal input impedance matching ? Diffused emitter ballasting ?

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更新時間:2025-8-31 18:49:01
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