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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 8 A, 1200 V, D1, DPAK-3L

Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil

ONSEMI

安森美半導體

Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 8 A

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ONSEMI

安森美半導體

Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 8 A

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安森美半導體

Silicon Carbide Schottky Diode

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ONSEMI

安森美半導體

RADIAL LEADED INDUCTORS

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TAIYO-YUDEN

太陽誘電

更新時間：2025-8-10 16:01:01
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