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MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone

Features ? High gain 3stage amplifier : 0 dBm input ? Lead less thin & Small package : 2 mm Max, 0.2cc ? High efficiency : 45 Typ at 3.8 W ? Wide gain control range : 90 dB Typ Application ? For E-GSM class4 880 to 915 MHz ? For 4.8V nominal battery use

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone

Features ? High gain 3stage amplifier : 0 dBm input ? Lead less thin & Small package : 2 mm Max, 0.2cc ? High efficiency : 45 Typ at 3.8 W ? Wide gain control range : 90 dB Typ Application ? For E-GSM class4 880 to 915 MHz ? For 4.8V nominal battery use

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone

Features ? High gain 3stage amplifier : 0 dBm input ? Lead less thin & Small package : 2 mm Max, 0.2cc ? High efficiency : 45 Typ at 35.5 dBm ? Wide gain control range : 70 dB Typ Application ? For E-GSM class4 880 to 915 MHz ? For 3.5 V nominal battery use

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Carolprene? Jacketed Type SOOW/SJOOW

文件：127.94 Kbytes Page：2 Pages

GENERALGeneral Cable Technologies Corporation

通用電氣公司美國通用電氣公司

更新時(shí)間：2025-8-14 20:18:01
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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    Switch - PCIe 4 Port 4 Lane PCI接口IC , Bridge - PCIe to USB 2.0 PCI接口IC , 66 MHz 2.5 V PCI接口IC , 66 MHz - 40 C PCI接口IC , I/O Expansion Switch - PCIe PCI接口IC , 3 Port 4 Lane PCI接口IC

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