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PESD5V0U1UT-Q

UltralowcapacitanceESDprotectiondiode

1.Generaldescription UltralowcapacitanceElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaSOT23(TO-236AB) smallSMDplasticpackage,designedtoprotectonehigh-speeddatalinefromthedamagecaused byESDandothertransients 2.Featuresandbenefits ?UnidirectionalESDprotection

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

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SMDESDProtectionDiode

RoHSDevice HalogenFree Features -IEC61000-4-2Level4ESDProtection. -ESDRatingofClass3(>16kV)perHumanBodyMode. -Lowbodymheight:0.017”(0.43mm)Max -LowLeakage. Mechanicaldata -Case:0402/SOD-923Fsmalloutlineplasticpackage.moldedplastic. -Terminals:Mattetin

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

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LOWCAPACITANCEBIDIRECTIONALTVSDIODE

Features ?ProvidesESDProtectionperIEC61000-4-2Standard: Contact±10kV ?1ChannelofESDProtection ?HighPeakPulseCurrentperIEC61000-4-5Standard ?LowChannelInputCapacitance ?TypicallyusedinCellularHandsets,PortableElectronics, CommunicationSystems,Computers

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美臺(tái)半導(dǎo)體

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SMDESDProtectionDiode

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更新時(shí)間：2025-7-30 23:00:00
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