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A2I09VD030NR1中文資料

廠家型號(hào)

A2I09VD030NR1

文件大小

491.92Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

23頁(yè)

功能描述

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

生產(chǎn)廠商

恩XP

A2I09VD030NR1數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書(shū)PDF詳情

The A2I09VD030N wideband integrated circuit is designed with on?chip

matching that makes it usable from 575 to 1300 MHz. This multi?stage

structure is rated for 48 to 55 V operation and covers all typical cellular base

station modulation formats.

Features

? On?chip matching (50 ohm input, DC blocked)

? Integrated quiescent current temperature compensation with

enable/disable function (1)

? Designed for digital predistortion error correction systems

? Optimized for Doherty applications

更新時(shí)間:2025-7-14 22:59:00
供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
恩XP
24+
TO270WB15
1259
只做原裝,提供一站式配單服務(wù),代工代料。BOM配單
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TO-270
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2021+
TO-270WB-15
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NXP原廠渠道,2小時(shí)快速發(fā)貨,大量現(xiàn)貨庫(kù)存
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25+
TO-270-15 變式 扁平引線
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