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位置：A2I09VD030GNR1 > A2I09VD030GNR1詳情

A2I09VD030GNR1中文資料

廠家型號(hào)	A2I09VD030GNR1
文件大小	491.92Kbytes
頁面數(shù)量	23頁
功能描述	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
數(shù)據(jù)手冊(cè)	原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
生產(chǎn)廠商	恩XP

相近規(guī)格書

A2I09VD030GNR1數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書PDF詳情

The A2I09VD030N wideband integrated circuit is designed with on?chip

matching that makes it usable from 575 to 1300 MHz. This multi?stage

structure is rated for 48 to 55 V operation and covers all typical cellular base

station modulation formats.

Features

? On?chip matching (50 ohm input, DC blocked)

? Integrated quiescent current temperature compensation with

enable/disable function (1)

? Designed for digital predistortion error correction systems

? Optimized for Doherty applications

A2I09VD030GNR1供應(yīng)商...

更新時(shí)間：2025-7-9 9:26:00

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