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A2I09VD030GNR1中文資料

廠家型號(hào)

A2I09VD030GNR1

文件大小

491.92Kbytes

頁面數(shù)量

23

功能描述

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

生產(chǎn)廠商

恩XP

A2I09VD030GNR1數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書PDF詳情

The A2I09VD030N wideband integrated circuit is designed with on?chip

matching that makes it usable from 575 to 1300 MHz. This multi?stage

structure is rated for 48 to 55 V operation and covers all typical cellular base

station modulation formats.

Features

? On?chip matching (50 ohm input, DC blocked)

? Integrated quiescent current temperature compensation with

enable/disable function (1)

? Designed for digital predistortion error correction systems

? Optimized for Doherty applications

更新時(shí)間:2025-7-9 9:26:00
供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
恩XP
24+
TO270WBG15
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只做原裝,提供一站式配單服務(wù),代工代料。BOM配單
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原廠封裝
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TO-270-15 變型 鷗翼
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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TO-270WB-15
6900
原廠原裝,假一罰十

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