同步整流MOSFET的降壓驅動程序
HIP6601和HIP6603的高頻率,雙MOSFET驅動器專門設計用于驅動兩個功率
N溝道MOSFET在同步整流降壓轉換器。與HIP630x結合這些驅動程序多相降壓PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一個完整的核心電壓調節(jié)器解決方案
先進的微處理器。驅動的HIP6601在同步整流更低的柵極大橋至12V,而高門可以獨立推動在一個范圍從5V至12V。驅動器的HIP6603以上為5V至12V范圍內的上下門。這驅動電壓的靈活性提供了優(yōu)化的優(yōu)勢應用領域涉及開關損耗之間的權衡和傳導損耗。在HIP6601和HIP6603輸出驅動器具有能力,以有效地切換頻率的功率MOSFET高達2MHz。每個驅動器具有驅動3000pF負載的能力以30ns和50ns的傳播延遲時間的過渡。兩個產品實現(xiàn)引導與對上閘只需要一個外部電容器。這將減少執(zhí)行的復雜性,并允許使用較高性能,成本效益,N溝道MOSFET。自適應擊穿保護,以防止雙方集成從同時進行的MOSFET。
特點
•驅動兩個N溝道MOSFET
•自適應擊穿保護
•內部自舉裝置
•支持高開關頻率-快速輸出上升時間-傳播延遲30ns
•小型8引腳SOIC封裝
•雙柵極驅動電壓為最佳效率
•三態(tài)輸入橋梁關閉
•電源欠壓保護
應用
•核心的英特爾奔騰® III,AMD ®的電壓電源速龍™微處理器
•高頻超薄的DC - DC轉換器
•高電流低電壓DC - DC轉換器
位置:首頁 > 電子行業(yè)新聞
FN4819-同步整流降壓MOSFET驅動器
時間:2013-3-4 15:26:00
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