SI2304BDS-T1-GE3 單N 溝道30V 0.07Ohm 0.75W 表面貼裝 功率 Mosfet - SOT-23-3
SI2304BDS-T1-GE3產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)格
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS） 30V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C 2.6A
Rds（最大）@ ID，VGS 70 mOhm @ 2.5A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 4nC @ 5V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 225pF @ 15V
功率 - 最大 750mW
安裝類型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3 (TO-236)
包裝材料 Tape & Reel (TR)
包裝 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源電壓 30 V
最大連續(xù)漏極電流 2.6 A
RDS -于 70@10V mOhm
最大門源電壓 ±20 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間 7.5 ns
典型上升時(shí)間 12.5 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間 19 ns
典型下降時(shí)間 15 ns
工作溫度 -55 to 150 °C
安裝 Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝 Tape & Reel
最大門源電壓 ±20
包裝寬度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 750
最大漏源電壓 30
歐盟RoHS指令 Compliant
最大漏源電阻 70@10V
每個(gè)芯片的元件數(shù) 1
最低工作溫度 -55
供應(yīng)商封裝形式 SOT-23
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 SOT-23
最高工作溫度 150
渠道類型 N
包裝長(zhǎng)度 3.04(Max)
引腳數(shù) 3
包裝高度 1.02(Max)
最大連續(xù)漏極電流 2.6
封裝 Tape and_Reel
鉛形狀 Gull-wing
單位包 0
最小起訂量 1
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 2.6A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝 SOT-23-3 (TO-236)
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 70 mOhm @ 2.5A， 10V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 750mW
漏極至源極電壓（Vdss） 30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS 225pF @ 15V
閘電荷（Qg ） @ VGS 4nC @ 5V
封裝/外殼 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名稱 SI2304BDS-T1-GE3CT
工廠包裝數(shù)量 3000
產(chǎn)品種類 MOSFET
晶體管極性 N-Channel
配置 Single
源極擊穿電壓 +/- 20 V
連續(xù)漏極電流 2.6 A
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
RDS（ON） 70 mOhms
功率耗散 750 mW
最低工作溫度 - 55 C
封裝/外殼 TO-236-3
零件號(hào)別名 SI2304BDS-GE3
上升時(shí)間 12.5 ns
最高工作溫度 + 150 C
漏源擊穿電壓 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降時(shí)間 12.5 ns
Continuous Drain Current Id :3.2A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :105mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :20V
AD8505ARJZ AD8532ARZ-REEL7 AD8534ARZ-REEL AD8541ARTZ-REEL7 AD8542ARZ-REEL7 AD8544ARUZ AD8544ARZ AD8613AUJZ AD8617ARZ-REEL7 AD8692ARZ-REEL7 AD8694ARZ-REEL7 ADA4505-1ARJZ
今年9月，可謂是集成電路產(chǎn)業(yè)“大月”，多個(gè)晶圓廠、集成電路項(xiàng)目陸續(xù)投產(chǎn)。
9月21日，杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司大硅片項(xiàng)目竣工投產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了8英寸大硅片的正式量產(chǎn)，同時(shí)12英寸大硅片生產(chǎn)線進(jìn)入調(diào)試、試生產(chǎn)階段。
9月20日，在安徽合肥召開(kāi)的2019世界制造業(yè)大會(huì)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn)。
9月20日，粵芯舉行了12英寸晶圓項(xiàng)目投產(chǎn)啟動(dòng)活動(dòng)。
9月17日，華虹無(wú)錫項(xiàng)目取得階段性進(jìn)展，一期12英寸生產(chǎn)線順利建成投片在無(wú)錫項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)舉行。
9月10日，聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司舉行了8英寸GaN外延材料項(xiàng)目投產(chǎn)暨產(chǎn)品發(fā)布儀式。
據(jù)證券時(shí)報(bào)網(wǎng)報(bào)道，2016-2018年開(kāi)始規(guī)劃或動(dòng)工的第一輪大陸晶圓廠陸續(xù)投產(chǎn)，產(chǎn)品設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)等日趨成熟。
中銀國(guó)際認(rèn)為，部分國(guó)產(chǎn)集成電路工藝設(shè)備已有一定市場(chǎng)地位，但在新一輪晶圓廠的設(shè)備采購(gòu)中，來(lái)自國(guó)際一流進(jìn)口品牌的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)壓力加大。綜合長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華力二期、華虹七廠的設(shè)備采購(gòu)情況，工藝設(shè)備平均國(guó)產(chǎn)化率僅為10%左右，國(guó)產(chǎn)化程度較高的是去膠設(shè)備、熱處理、清洗設(shè)備、刻蝕機(jī)、PVD、CMP和鍍銅設(shè)備，國(guó)產(chǎn)化率分別為87%、25%、22%、21%、13%、12%、11%。在新一輪設(shè)備采購(gòu)中，這些國(guó)產(chǎn)設(shè)備有機(jī)會(huì)繼續(xù)擴(kuò)大市場(chǎng)份額，但據(jù)中銀國(guó)際估計(jì)，仍處于絕對(duì)壟斷地位的國(guó)際進(jìn)口品牌，將會(huì)采用通過(guò)降低價(jià)格來(lái)穩(wěn)定市占率的競(jìng)爭(zhēng)策略，給國(guó)產(chǎn)設(shè)備帶來(lái)成本壓力。
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