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SI2302CDS-T1-GE3

時(shí)間:2019-9-26 10:47:00

SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3 20V 710mW SOT-23-3 Power MOSFET

SI2302CDS-T1-GE3產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)格

標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000

FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特點(diǎn) Logic Level Gate

漏極至源極電壓(VDSS) 20V

電流-連續(xù)漏極(編號(hào))@ 25°C 2.6A

Rds(最大)@ ID,VGS 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V

VGS(TH)(最大)@ Id 850mV @ 250μA

柵極電荷(Qg)@ VGS 5.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)@ Vds的 -

功率 - 最大 710mW

安裝類型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3 (TO-236)

包裝材料 Tape & Reel (TR)

包裝 3SOT-23

通道模式 Enhancement

最大漏源電壓 20 V

最大連續(xù)漏極電流 2.6 A

RDS -于 57@4.5V mOhm

最大門源電壓 ±8 V

典型導(dǎo)通延遲時(shí)間 8 ns

典型上升時(shí)間 7 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間 30 ns

工作溫度 -55 to 150 °C

安裝 Surface Mount

標(biāo)準(zhǔn)包裝 Tape & Reel

產(chǎn)品種類 MOSFET

RoHS RoHS Compliant

晶體管極性 N-Channel

漏源擊穿電壓 20 V

源極擊穿電壓 +/- 8 V

連續(xù)漏極電流 2.6 A

抗漏源極RDS ( ON) 0.057 Ohms

配置 Single

最高工作溫度 + 150 C

安裝風(fēng)格 SMD/SMT

封裝/外殼 SOT-23-3

封裝 Reel

下降時(shí)間 7 ns

最低工作溫度 - 55 C

功率耗散 710 mW

上升時(shí)間 7 ns

工廠包裝數(shù)量 3000

零件號(hào)別名 SI2302CDS-GE3

最大門源電壓 ±8

包裝寬度 1.4(Max)

PCB 3

最大功率耗散 710

最大漏源電壓 20

歐盟RoHS指令 Compliant

最大漏源電阻 57@4.5V

每個(gè)芯片的元件數(shù) 1

最低工作溫度 -55

供應(yīng)商封裝形式 SOT-23

標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 SOT-23

最高工作溫度 150

渠道類型 N

包裝長(zhǎng)度 3.04(Max)

引腳數(shù) 3

包裝高度 1.02(Max)

最大連續(xù)漏極電流 2.6

鉛形狀 Gull-wing

P( TOT ) 0.71W

匹配代碼 SI2302CDS

單位包 3000

標(biāo)準(zhǔn)的提前期 15 weeks

最小起訂量 3000

極化 N-CHANNEL

無鉛Defin RoHS-conform

我(D ) 2.6A

V( DS ) 20V

R( DS上) 0.075Ohm

FET特點(diǎn) Logic Level Gate

安裝類型 Surface Mount

電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C 2.6A (Ta)

的Vgs(th ) (最大)@ Id 850mV @ 250μA

供應(yīng)商設(shè)備封裝 SOT-23-3 (TO-236)

開態(tài)Rds(最大)@ Id ,V GS 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V

FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大 710mW

漏極至源極電壓(Vdss) 20V

閘電荷(Qg ) @ VGS 5.5nC @ 4.5V

封裝/外殼 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名稱 SI2302CDS-T1-GE3CT

類別 Power MOSFET

外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm

身高 1.02mm

長(zhǎng)度 3.04mm

最大漏源電阻 0.057 Ω

最大功率耗散 0.71 W

包裝類型 SOT-23

典型柵極電荷@ VGS 3.5 nC V @ 4.5

寬度 1.4mm

RDS(ON) 57 mOhms

漏極電流(最大值) 2.6 A

頻率(最大) Not Required MHz

柵源電壓(最大值) ?8 V

輸出功率(最大) Not Required W

噪聲系數(shù) Not Required dB

漏源導(dǎo)通電阻 0.057 ohm

工作溫度范圍 -55C to 150C

極性 N

類型 Power MOSFET

元件數(shù) 1

工作溫度分類 Military

漏極效率 Not Required %_

漏源導(dǎo)通電壓 20 V

功率增益 Not Required dB

弧度硬化 No

Continuous Drain Current Id :2.9A

Drain Source Voltage Vds :20V

On Resistance Rds(on) :57mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :8V

Threshold Voltage Vgs :850mV

功耗 :710mW

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-23

No. of Pins :3

MSL :-

Current Id Max :2.9A

Junction Temperature Tj Max :150°C

工作溫度范圍 :-55°C to +150°C

端接類型 :SMD

Voltage Vds Typ :20V

Voltage Vgs Max :850mV

Voltage Vgs Rds on Measurement :4.5V

Voltage Vgs th Max :0.85V

Voltage Vgs th Min :0.4V

AD8505ARJZ AD8532ARZ-REEL7 AD8534ARZ-REEL AD8541ARTZ-REEL7 AD8542ARZ-REEL7 AD8544ARUZ AD8544ARZ AD8613AUJZ AD8617ARZ-REEL7 AD8692ARZ-REEL7 AD8694ARZ-REEL7 ADA4505-1ARJZ

自轉(zhuǎn)向以數(shù)據(jù)為中心的全方位創(chuàng)新戰(zhàn)略以來,英特爾正加速航行。作為重要棋子的FPGA,英特爾也加快了出新步伐。近日,英特爾宣布出貨全新Stratix 10 DX FPGA,而基于10nm工藝的Agilex系列已向參與早期使用計(jì)劃的客戶出貨,明年將正式量產(chǎn)。

  異構(gòu)方案解決加速挑戰(zhàn)

  “眾所周知,數(shù)據(jù)已呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),客戶所尋求的是將這些數(shù)據(jù)貨幣化,希望可通過全新應(yīng)用以及對(duì)現(xiàn)有應(yīng)用提速來實(shí)現(xiàn)貨幣化的目的,而充分利用這些海量數(shù)據(jù)就需要異構(gòu)方案?!庇⑻貭柟揪W(wǎng)絡(luò)和自定義邏輯事業(yè)部副總裁兼FPGA和電源產(chǎn)品營(yíng)銷總經(jīng)理Patrick Dorsey指出異構(gòu)計(jì)算在數(shù)據(jù)時(shí)代的優(yōu)勢(shì)所在,“這種異構(gòu)架構(gòu)包含了CPU、GPU、AI芯片以及FPGA,只有綜合性、針對(duì)性地解決具體問題,才能打造一個(gè)完整的解決方案?!?/p>

  而在異構(gòu)平臺(tái)中,F(xiàn)PGA絕對(duì)“不可或缺”。隨著摩爾定律的放緩以及大數(shù)據(jù)、AI、5G、自動(dòng)駕駛等的發(fā)展,對(duì)計(jì)算能力和帶寬提出了前所未有的要求,同時(shí)新的算法新的框架層出不窮,要應(yīng)對(duì)這一變化就需要靈活應(yīng)變的FPGA。據(jù)預(yù)計(jì)到2022年,F(xiàn)PGA市場(chǎng)將達(dá)到75億美元的規(guī)模,年復(fù)合成長(zhǎng)率為9%。

  而數(shù)據(jù)中心的兩大指標(biāo)需要“和衷共濟(jì)”:即網(wǎng)絡(luò)吞吐量必須提高,而時(shí)延必須降低。Patrick Dorsey表示,隨著服務(wù)器需要更高效的計(jì)算以處理AI等相關(guān)負(fù)載,包括FPGA、GPU等在內(nèi)的硬件加速器被廣泛使用,但其有效性能在很大程度上取決于CPU、可用系統(tǒng)內(nèi)存和加速器之間的通信帶寬和延遲。

  于是乎,在4年前英特爾將Altera納入囊中之后,可打造“全能異構(gòu)平臺(tái)”的英特爾繼宣布在中國重慶成立全球最大的FPGA中國創(chuàng)新中心以來,又重磅宣布FPGA組合家族當(dāng)中的一個(gè)全新產(chǎn)品Stratix 10 DX,借力至強(qiáng)處理器Xeon+Stratix 10 DX的“組合拳”應(yīng)對(duì)加速挑戰(zhàn)。

  Xeon+FPGA組合帶來高內(nèi)存擴(kuò)展能力

  對(duì)于這一全新組合,Patrick Dorsey分析其最大優(yōu)勢(shì)在于低時(shí)延、高帶寬以及內(nèi)存擴(kuò)展能力。Stratix 10 DX不僅是英特爾首個(gè)支持PCIe Gen4的FPGA,同時(shí)通過與至強(qiáng)處理器采取超路徑互連UPI,從而帶來了關(guān)鍵價(jià)值即可快速擴(kuò)展內(nèi)存,如可支持8個(gè)獨(dú)立的傲騰DC持久內(nèi)存控制器,總?cè)萘靠傻?TB。

  Patrick Dorsey解釋說,內(nèi)存無論是DDR還是傲騰,通過在至強(qiáng)處理器與FPGA之間共享存儲(chǔ),在共享過程中就不用進(jìn)行數(shù)據(jù)遷移或拷貝,因數(shù)據(jù)遷移和拷貝會(huì)帶來高成本,同時(shí)也會(huì)降低系統(tǒng)的性能。從新的內(nèi)存金字塔層級(jí)來看,不同類型的內(nèi)存包括存儲(chǔ)、持久性內(nèi)存以及標(biāo)準(zhǔn)化內(nèi)存,Stratix 10 DX則可提高塔尖高層級(jí)內(nèi)存性能,如傲騰和DRAM。

  針對(duì)不同應(yīng)用性能的優(yōu)化,Patrick Dorsey列出了具體數(shù)字:在邊緣計(jì)算應(yīng)用中,Stratix 10 DX在擁有UPI之后,比僅使用PCIe的響應(yīng)速度快37%。而在網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中,因支持PCIe Gen4,帶寬比前一代PCIe Gen3擴(kuò)大了兩倍,使得數(shù)據(jù)處理更為快速,同時(shí)也擁有以太網(wǎng)功能。而在數(shù)據(jù)中心方面,通過英特爾的異構(gòu)即Xeon+FPGA計(jì)算,加之PCIe Gen4與UPI的互聯(lián),總帶寬可提升2.6倍。

  雖然英特爾已宣布退出5G基帶業(yè)務(wù),但仍專注于基礎(chǔ)設(shè)施。對(duì)于正式商用的5G,Stratix 10 DX也大有可為。Patrick Dorsey介紹:“Stratix 10 DX可應(yīng)用于5G基站,其好處體現(xiàn)在低時(shí)延,尤其是當(dāng)5G走向數(shù)據(jù)中心、在vRAN方面應(yīng)用時(shí)配合至強(qiáng)處理器,可進(jìn)行諸多網(wǎng)絡(luò)功能的加速。”

  目前新款FPGA與至強(qiáng)處理器通過UPI互連,Patrick Dorsey在談及未來封裝一體化問題提及,多樣化的FPGA可使得客戶進(jìn)行靈活的配置和優(yōu)化,集成封裝還非必須。

  下一代Agilex實(shí)現(xiàn)諸多創(chuàng)新

  而祭出的Stratix 10 DX FPGA還只是一個(gè)發(fā)韌,對(duì)于FPGA英特爾的完整路線圖已然浮出水面, Agilex FPGA系列也已出貨,明年量產(chǎn)。

  據(jù)悉,英特爾Agilex FPGA系列幾乎集成了英特爾現(xiàn)階段所有的技術(shù)和創(chuàng)新優(yōu)勢(shì),包括架構(gòu)、封裝、工藝、開發(fā)工具以及通過eASIC技術(shù)實(shí)現(xiàn)降低功耗的快速方式。

  Patrick Dorsey著重說,Agilex采用英特爾的10nm工藝,可對(duì)標(biāo)業(yè)界的7nm水平。并且,Agilex將支持下一代UPI,即基于CXL的開放標(biāo)準(zhǔn)接口,同時(shí)還將支持第五代PCIe,其他創(chuàng)新還包括第二代HyperFlex架構(gòu)、DSP創(chuàng)新等。他還強(qiáng)調(diào),目前UPI只可搭配至強(qiáng)處理器使用,未來CXL將是公開的,可適配任何處理器。而從UPI過渡到CXL,只需對(duì)硬件接口和一些軟件進(jìn)行更新。最重要的是開發(fā)者已可使用UPI進(jìn)行應(yīng)用開發(fā),客戶也可向CLX進(jìn)行無縫轉(zhuǎn)移以及迭代。

  放眼FPGA領(lǐng)域的兩大巨頭,在數(shù)字時(shí)代做出了殊途同歸的選擇,英特爾的異構(gòu)平臺(tái)顯然是其重要籌碼。Patrick Dorsey最后指出,僅僅擁有四種架構(gòu)是不夠的,為保證客戶能夠充分利用異構(gòu)的優(yōu)勢(shì),英特爾一方面面向開發(fā)者提供產(chǎn)品路線圖以及one-API統(tǒng)一應(yīng)用開發(fā)接口等,另一方面針對(duì)端到端的硬件部署與客戶展開密切合作。

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型號(hào)查詢 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

2025-9-13 22:58:00
供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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2016+
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只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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SOT-23-3(TO-236)
7117
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
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SOT23-3
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VISHAY/威世
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SOT23-3
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