品牌

ON

封裝

SOP

數(shù)量

20000

制造商

onsemi

產(chǎn)品種類

MOSFET

RoHS

是

安裝風格

SMD/SMT

封裝 / 箱體

SOIC-8

晶體管極性

N-Channel

通道數(shù)量

1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓

30 V

Id-連續(xù)漏極電流

8.5 A

Rds On-漏源導通電阻

23 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓

- 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓

1 V

Qg-柵極電荷

43 nC

最小工作溫度

- 55 C

最大工作溫度

+ 150 C

Pd-功率耗散

2.5 W

通道模式

Enhancement

系列

NTMS7N03R2

配置

Single

下降時間

49 ns, 38 ns

正向跨導 - 最小值

13 S

高度

1.5 mm

長度

5 mm

上升時間

38 ns, 71 ns

晶體管類型

MOSFET

典型關(guān)閉延遲時間

8 ns, 15 ns

典型接通延遲時間

4 mm

寬度

74 mg

可售賣地

全國

型號

NTMS7N03R2G