制造商: onsemi

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: N

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 3 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 80 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2 W

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

商標(biāo): onsemi

配置: Dual

下降時(shí)間: 20 ns, 19 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 4.5 S

高度: 1.5 mm

長(zhǎng)度: 5 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 77 ns, 15 ns

2500

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 2 N-Channel

類型: MOSFET

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 17 ns, 15 ns

典型接通延遲時(shí)間: 13 ns, 9 ns

寬度: 4 mm

單位重量: 74 mg