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IPB025N10N3G 場(chǎng)效應(yīng)管IC芯片 絲印025N10N TO-263

時(shí)間:2022-4-27 9:50:00

IPB025N10N3G

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 180 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 206 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 28 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 100 S

高度: 4.4 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 58 ns

系列: OptiMOS 3

1000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: OptiMOS 3 Power-Transistor

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 84 ns

典型接通延遲時(shí)間: 34 ns

寬度: 9.25 mm

零件號(hào)別名: SP000469888 IPB25N1N3GXT IPB025N10N3GATMA1

單位重量: 1.600 g

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