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IPD50N06S4L-08 TO252貼片場效應(yīng)管60V 50A

時(shí)間:2022-4-27 11:50:00

IPD50N06S4L-08

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-252-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 64 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 71 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 8 ns

高度: 2.3 mm

長度: 6.5 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 2 ns

系列: OptiMOS-T2

2500

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 45 ns

典型接通延遲時(shí)間: 9 ns

寬度: 6.22 mm

零件號別名: IPD5N6S4L8XT SP000374322 IPD50N06S4L08ATMA1

單位重量: 330 mg

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型號查詢 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作

OptiMOS-T2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

2025-9-18 9:21:00
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