IPD60N10S4L12ATMA1參數(shù)對(duì)照表如下：

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 環(huán)保標(biāo)識(shí)

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-252-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 60 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 9.8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.1 V

Qg-柵極電荷: 49 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 94 W

下降時(shí)間: 21 ns

高度: 2.3 mm

長(zhǎng)度: 6.5 mm