BYN664_AP9960AGM導(dǎo)讀
今天給大家介紹一款適用于鋰電池保護(hù)板可替代AO3401等MOS管的國產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管:NCE3401。
針對(duì)這種需求,新潔能生產(chǎn)出內(nèi)阻小,抗過電流能力好的N溝道溝槽工藝MOS管——NCE80H12,NCE80H12的導(dǎo)通電阻小于6mΩ,輸出電流可達(dá)120A,電機(jī)扭矩較好,。
BYN664_AP9960AGM
IRF8915TRPBF
勢(shì)壘電容:功率半導(dǎo)體中,當(dāng)N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后,由于濃度差導(dǎo)致N型半導(dǎo)體的電子會(huì)有部分?jǐn)U散到P型半導(dǎo)體的空穴中,因此在結(jié)合面處的兩側(cè)會(huì)形成空間電荷區(qū)(該空間電荷區(qū)形成的電場(chǎng)會(huì)阻值擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)行,較終使擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到平衡);。
BYN41020A BYM41019A BYM41063 BYM429 BYN4286 BYT4222 BYN4224 BYC4213 BYM4225 。
NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。
BYS31511 BYH32025A BYS32026A BYP32027A BYF32028A BYF32018A BYD32011Z BYF32090 BYJ32056 BYP32011A 。
BYN664_AP9960AGM
BSO615NV
NCE3008M NCE3010S NCE3011E NCE30D0808J NCE3018AS 。
NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。
N溝道增強(qiáng)型MOS管是把一塊低摻雜的P型半導(dǎo)體作為襯底,在襯底上面用分散的方法構(gòu)成兩各重?fù)诫s的N+區(qū),然后在P型半導(dǎo)體上生成很薄的一層二氧化硅絕緣層,然后在兩個(gè)重?fù)诫s的N+區(qū)上端用光刻的方法刻蝕掉二氧化硅層,暴露N+區(qū),較終在兩個(gè)N+區(qū)的外表以及它們之間的二氧化硅外表用蒸騰或者濺射的方法噴涂一層金屬膜,這三塊金屬膜構(gòu)成了MOS管的三個(gè)電極,分別稱為源極(S)、柵極(G)和漏極(D)。
BYN31028Z BYN31024A BYG31013A BYN31095 BYJ31040 BYM31013A BYH31015-X BYH31015 BYS31030 BYF31040 。
BYN664_AP9960AGM
NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。
鋰電池主要由兩大塊構(gòu)成,電芯和鋰電池保護(hù)板PCM。
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