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BYM81080

時間:2021-9-26 16:02:00

BYM81080

BYM81080_STS2DNF30L導讀

功率半導體的核心是PN結,從二極管、三極管到場效應管,都是根據(jù)PN結特性所做的各種應用。場效應管分為結型、絕緣柵型,其中絕緣柵型也稱MOS管(Metal Oxide Semiconductor)。根據(jù)不通電情況下反型層是否存在,MOS管可分為增強型、耗盡型——。

這個電流通路的電阻被稱為MOS管內(nèi)阻,也就是導通電阻。這個內(nèi)阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導通電流(當然和其它因素有關,如熱阻)。內(nèi)阻越小承受電流越大(因為發(fā)熱?。?。

BYM81080_STS2DNF30L

BYD6456

NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。

至于為什么不使用耗盡型的MOS管,不建議刨根問底。。對于這兩種增強型MOS管,比較常用的是NMOS。

。MOS管的導電溝道,能夠在制作過程中構成,也能夠通過接通外部電源構成,當柵壓等于零時就存在溝道(即在制作時構成的)稱為耗盡型,在施加外部電壓后才構成溝道的稱為增強型。

BYS3105 BYP3105 BYJ31020A BYH31012A BYJ31012A BYP3104 BYF31010A BYP31013A BYS31010A BYH31055 。

BYM81080_STS2DNF30L

AFN4906WS8RG

BYM4610 BYM4640 BYM4875 BYM81080 BYM81095 BYM826 BYM8311 BYM8315 BYH8415 BYM8415 。

NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。

BYP31036 BYD31010A BYD31024A BYP31017 BYS31018 BYF3104 BYH3108 BYF3109 BYM31032 BYN31333A 。

MOS管寄生電容結構如下,其中,多晶硅寬度、溝道與溝槽寬度、G極氧化層厚度、PN結摻雜輪廓等都是影響寄生電容的因素。。

BYM81080_STS2DNF30L

而在鋰電池保護板中重要的就是保護芯片和MOS管。

NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。

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