NCE6020AK_NCEP080N85K導(dǎo)讀

作為驅(qū)動(dòng)部分的開(kāi)關(guān)管，MOS管的主要被關(guān)注點(diǎn)是耐壓，耐流值以及開(kāi)關(guān)速度。MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極G和源級(jí)S間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)S和D間導(dǎo)電通路就形成。

今天給大家介紹一款適用于鋰電池保護(hù)板可替代AO3401等MOS管的國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管：NCE3401。

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NCE6020AL

在不見(jiàn)天日的17個(gè)月里，Zandman的叔叔教他代數(shù)、三角、幾何和物理?？梢哉f(shuō)，在那段較黑暗的日子里Zandman學(xué)習(xí)掌握的知識(shí)為他開(kāi)創(chuàng)Vishay奠定了基礎(chǔ)。戰(zhàn)后，Zandman移民到法國(guó)，獲得機(jī)械工程、應(yīng)用機(jī)械和普通物理的學(xué)位，在巴黎的Sorbonne大學(xué)獲得機(jī)械物理的博士學(xué)位。Zandman于1928年生于波蘭，在二戰(zhàn)納粹大屠殺期間，Zandman外婆曾經(jīng)救助過(guò)的老管家收留了Zandman，他和其他四個(gè)人在管家家的地板下躲藏了17個(gè)月，才得以逃過(guò)了大屠殺。1956年，Zandman移居到美國(guó)，并在1962年創(chuàng)辦了Vishay。。

NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。

NCE2025I NCE2025S NCE2030K NCE2030U NCE2030 。

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。

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NCEP015N30GU

NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。

NCE6802 NCE30H29D NCEB301Q NCEB301Q NCEB301G 。

。MOS管寄生電容結(jié)構(gòu)如下，其中，多晶硅寬度、溝道與溝槽寬度、G極氧化層厚度、PN結(jié)摻雜輪廓等都是影響寄生電容的因素。

MOSFET的特性能夠用搬運(yùn)特性曲線和漏極輸出特性曲線來(lái)表征。 。圖3是某種場(chǎng)效應(yīng)管的搬運(yùn)特性。搬運(yùn)特性是指在漏源之間的電壓UDS在某一固定值時(shí)，柵極電壓UGS與相對(duì)應(yīng)的漏極電流ID之間的關(guān)系曲線。

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。MOS管NCE3401是一款-30V漏源電壓，4.2A電流，SOT-23封裝的P溝道MOS管。

NCE20ND06 NCE2008N NCE2312 NCE2312A NCE8205A 。

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