TPS2065CDBVR-2 電源IC_GRM2165C2A151JA01D導(dǎo)讀
數(shù)據(jù)顯示，TI的模擬芯片在2018年的運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)率高達(dá)46.7%，但嵌入式處理器的運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)率僅為29.6%。以TI為例，在過(guò)去10年內(nèi)，其利潤(rùn)和利潤(rùn)率保持上升態(tài)勢(shì)，并在2018年創(chuàng)造了新高。在模擬芯片市場(chǎng)，像TI、ADI、Maxim這樣的廠商，都有著高于行業(yè)平均水平的毛利率。按照TI的說(shuō)法，創(chuàng)造高利潤(rùn)率與他們用12英寸晶圓廠生產(chǎn)模擬芯片、降低成本有關(guān)。
TI將很多邏輯和嵌入式IC生產(chǎn)外包給代工廠，但模擬芯片主要都是在其自家的工廠生產(chǎn)。該公司目前擁有兩個(gè)300mm晶圓廠，分別名為RFAB和DMO56。
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AMC1311BDWVR 整流器件
這使得TI能夠?yàn)榍度胧绞袌?chǎng)推出業(yè)界首款無(wú)晶體無(wú)線MCU，SimpleLink CC2652RB，其時(shí)鐘包含在同一芯片中。德州儀器公布了該公司所稱(chēng)的“突破性”體聲波（BAW）諧振器技術(shù)。這些微型計(jì)時(shí)器尺寸僅有100微米，比頭發(fā)的直徑還小，但它們的運(yùn)行頻率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于石英晶體，它可以將高精度和超低抖動(dòng)時(shí)鐘直接集成到包含其他電路的封裝中，TI稱(chēng)。
TI負(fù)責(zé)連接微控制器的副總裁Ray Upton解釋說(shuō)，新技術(shù)對(duì)于“以穩(wěn)定的方式移動(dòng)大量數(shù)據(jù)”至關(guān)重要，從而改善了高性能通信。 。
TPS61230ARNSR TPS613221ADBVR TPS613221ADBVT LM321LVIDBVR TPS562201DDCR 。
TMP112AIDRLR TS3A225ERTER TPS2546RTER TMP112AIDRLT TPS82130SILR 。
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GRJ55DR72J224KWJ1L
TPS630701RNMT TPS630702RNMR TPS54218RTER TPS92692PWPR TPS56C230RJER 。
UCC28063DR LM536003QDSXRQ1 UCC2892DR MSP430FR2111IPW16R UCC21520QDWRQ1 。
（全1球TMT2021年7月13日訊）德州儀器 (TI)推出全新高性能微控制器(MCU) 產(chǎn)品系列，推動(dòng)了邊緣端的實(shí)時(shí)控制、網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)和智能分析。憑借全新的Sitara AM2x系列MCU，工程師可以使用10倍于以前基于閃存MCU的運(yùn)算能力。高性能AM2x系列縮小了MCU和處理器之間日益增加的性能差距，使設(shè)計(jì)人員能夠在工廠自動(dòng)化、機(jī)器人、汽車(chē)系統(tǒng)和可持續(xù)能源管理等應(yīng)用領(lǐng)域突破性能限制。
BQ24311DSGR TIC10024QDCPRQ1 TL331IDBVR TL331IDBVT TPS63070RNMT 。
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石英(quartz)作為常見(jiàn)的壓電材料，在高電壓和高壓力的情況下表現(xiàn)出線性反應(yīng)，但還沒(méi)有合適的方法把石英做成薄膜deposit在Si襯底上。合適的BAW壓電材料需要high electromechanical coupling coefficient，low electromechanical loss，high thermal stability，還要符合IC工藝技術(shù)。
??因?yàn)橹皇沁吘壊糠指紫聅ubstrate接觸，這種結(jié)構(gòu)在受到壓力時(shí)相對(duì)脆弱，而且跟membrane type類(lèi)似，散熱問(wèn)題同樣需要關(guān)注。Airgap type在制作壓電層之前沉積一個(gè)輔助層(sacrificial support layer)，較后再把輔助層去掉，在震蕩結(jié)構(gòu)下方形成air gap。
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