制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 6.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 480 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V， + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 27 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 39 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.3 mm
長(zhǎng)度: 6.5 mm
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: Preliminary
寬度: 6.22 mm
商標(biāo): Infineon / IR
下降時(shí)間: 31 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 47 ns
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 28 ns
典型接通延遲時(shí)間: 14 ns
零件號(hào)別名: IRFR9120NTRPBF SP001557182
單位重量: 330 mg
