制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: P-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V， + 5 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: 125 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 137 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Tube

配置: Single

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS-P2

晶體管類型: 1 P-Channel

寬度: 4.4 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 40 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 11 ns

工廠包裝數(shù)量: 500

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 140 ns

典型接通延遲時(shí)間: 17 ns

零件號別名: SP000396390 IPP8P3P4L4XK IPP80P03P4L04AKSA1

單位重量: 2 g