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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
IPP80R280P7

N-Channel MOSFET

FEATURES ·Drain Current -ID= 17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.28Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Power Factor Correction (PFC) ·Recommended For Hard And Soft Switching Flyback Topologies For LED Lighting ·Low Power Chargers An

ISC

無錫固電

IPP80R280P7

效率和散熱性能的新基準(zhǔn)

Infineon

英飛凌

IPP80R280P7

800V CoolMOS? P7 Power Transistor

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更新時間：2025-9-17 23:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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    2023-7-4

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    2022-5-18

  • IPP65R110CFDA INFINEON/英飛凌 21+ TO-220

    https://hfx03.114ic.com/

    2022-2-19

  • IPP65R600C6優(yōu)勢原裝Infineon局道

    IPP65R600C6 優(yōu)勢原裝Infineon局道

    2019-3-27

  • IPS0151-完全保護(hù)的功率MOSFET開關(guān)

    IPS0151/IPS0151S得到充分保護(hù)三端智能功率MOSFET，具有過電流，超溫，防靜電保護(hù)和漏源積極clamp.These器件結(jié)合一個HEXFET®功率MOSFET和柵極驅(qū)動器。他們提供全面的保護(hù)和在惡劣的環(huán)境中所需的高可靠性。該驅(qū)動程序允許開關(guān)時間短通過關(guān)閉提供有效的保護(hù)當(dāng)溫度超過165oC的功率MOSFET或當(dāng)漏電流達(dá)到35A。該設(shè)備重新啟動一次輸入循環(huán)。雪崩活動能力顯著增強夾具和覆蓋最感性負(fù)載demagnetizations。 特點 •在溫度關(guān)機 •在當(dāng)前的關(guān)機 •有源鉗位

    2012-11-14

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