類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單個

制造商 Infineon

系列 HEXFET?

包裝 管件

零件狀態(tài) 有源

FET 類型 N 通道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 17A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 75 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 45W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型 通孔

封裝/外殼 TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

漏源電壓（Vdss） 55V

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 20nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 370pF @ 25V

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