類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

制造商 Vishay

系列 TrenchFET?

包裝 卷帶（TR） 剪切帶（CT）

零件狀態(tài) 有源

FET 類型 P 通道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 13.4A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 15.5 毫歐 @ 9A，4.5V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 1V @ 250μA

Vgs（最大值） ±8V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 5W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝型

封裝/外殼 8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

漏源電壓（Vdss） 20V

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 90nC @ 8V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 2380pF @ 10V

產(chǎn)品編號(hào) SI4403

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