制造商 VISHAY/威世

數(shù)據(jù)列表 SI7117DN

標(biāo)準(zhǔn)包裝 3000

包裝 標(biāo)準(zhǔn)卷帶

零件狀態(tài) 有源

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

系列 TrenchFET?

其它名稱 SI7117DN-T1-GE3

FET 類型 P 通道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 150V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 2.17A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 1.2 歐姆 @ 500mA，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 12nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 510pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.2W（Ta），12.5W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝型

封裝/外殼 PowerPAK? 1212-8

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