制造商 Infineon Technologies

數(shù)據(jù)列表 BSC037N025S G

標(biāo)準(zhǔn)包裝 5000

包裝 標(biāo)準(zhǔn)卷帶

零件狀態(tài) 停產(chǎn)

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

系列 OptiMOS?

其它名稱 BSC037N025S G

FET 類型 N 通道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 25V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 21A（Ta），100A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 3.7 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2V @ 50μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 29nC @ 5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 3660pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），69W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝型

器件封裝 TDSON-8-1

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