數(shù)據(jù)列表 FDC640P;_
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3，000
包裝 標(biāo)準(zhǔn)卷帶
零件狀態(tài) 有源
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
系列 PowerTrench?
其它名稱 FDC640P-ND
FDC640PTR
規(guī)格
FET 類型 P 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 4.5A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 53 毫歐 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 13nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 890pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 SuperSOT?-6
封裝/外殼 SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
