SI2351DS-T1-GE3
技術(shù)參數(shù)
品牌： VISHAY
型號(hào)： SI2351DS-T1-GE3
批號(hào)： 2019+
封裝： SOT-23
數(shù)量： 320000
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況： 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL）： 1（無限）
系列： TrenchFET?
包裝： 剪切帶（CT）
零件狀態(tài)： 過期
FET類型： P溝道
技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）： 20V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）： 2.8A（Tc）
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）： 1.5V@250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）： 5.1nC@5V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）： 250pF@10V
FET功能： -
功率耗散（最大值）： 1W（Ta），2.1W（Tc）
不同 Id，Vgs時(shí)的 RdsOn（最大值）： 115毫歐@2.4A，4.5V
工作溫度： -55°C~150°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝(SMT)
供應(yīng)商器件封裝： SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6月18日消息，昨日深交所互動(dòng)平臺(tái)上，有投資者向中興通訊提問，希望了解5nm工藝芯片方面的進(jìn)展。中興方面則透露，公司具備芯片設(shè)計(jì)和開發(fā)能力，7nm芯片已規(guī)模量產(chǎn)，并在全球5G規(guī)模部署中實(shí)現(xiàn)了商用，5nm芯片則正在技術(shù)導(dǎo)入階段。
這意味著我國自研5nm芯片或不再只被掌握在華為一家手里，帶給國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)更多新的希望。
眾所周知，中興、華為在2018年和2019年，先后遭到美國方面的制裁，中興還受過美方的兩次制裁。但不同的是，中興很多芯片業(yè)務(wù)原本都是依靠美國公司，處理方式也截然不同，華為最近的進(jìn)展情況可能大家都很熟悉，那中興這邊又是如何呢？
經(jīng)歷過風(fēng)波之后，中興也多次表態(tài)會(huì)加強(qiáng)自研芯片業(yè)務(wù)?？偛眯熳雨栐诠蓶|大會(huì)上表示，加大中興微電子在芯片領(lǐng)域的研發(fā)投入，比如基帶芯片、5G傳輸交換芯片、IP芯片等。這段時(shí)間，中興一直在“埋頭苦干”，以至于我們一直將視線放在了華為以及臺(tái)積電等身上。
中興能夠在5nm方面取得成功，與其研發(fā)的高投入是密不可分的。根據(jù)中興副總裁、首席運(yùn)營官謝峻石的說法，過去三年中興每年用在研發(fā)上的資金高達(dá)121億元。
據(jù)悉，這些芯片不是5G SoC（片上系統(tǒng)），而是5G設(shè)備和基礎(chǔ)設(shè)施的核心部分，其中基于5nm的芯片將會(huì)帶來更高的性能和更低的功耗。中興總裁徐子陽在最近的一次采訪中表示，公司正在開發(fā)5nm芯片組，預(yù)計(jì)5G智能手機(jī)的功耗和重量將以每年20％的速度下降，但未透露有關(guān)正在開發(fā)的芯片的更多細(xì)節(jié)。
在本月初的“中國5G發(fā)牌一周年”線上峰會(huì)上，中興通訊虛擬化產(chǎn)品首席科學(xué)家屠嘉順也表示，基于7nm工藝的多模基帶芯片和數(shù)字中頻芯片成功實(shí)現(xiàn)算力提升功耗降低。而明年發(fā)布的5nm工藝芯片，那就更值得期待了。
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