SI3429EDV-T1-GE3
商品詳情
RoHS 是
技術(shù) Si
封裝 / 箱體 TSOP-6
系列 SI3
工廠(chǎng)包裝數(shù)量 3000
制造商 Vishay Siliconix
包裝方式 帶卷（TR）
壽命周期 在售
FET 類(lèi)型 P 溝道
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 8A（Ta），8A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 118nC @ 10V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 4085pF @ 50V
功率耗散（最大值） 4.2W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 21 毫歐 @ 4A，10V
工作溫度范圍 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
6月18日消息，昨日深交所互動(dòng)平臺(tái)上，有投資者向中興通訊提問(wèn)，希望了解5nm工藝芯片方面的進(jìn)展。中興方面則透露，公司具備芯片設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)能力，7nm芯片已規(guī)模量產(chǎn)，并在全球5G規(guī)模部署中實(shí)現(xiàn)了商用，5nm芯片則正在技術(shù)導(dǎo)入階段。
這意味著我國(guó)自研5nm芯片或不再只被掌握在華為一家手里，帶給國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)更多新的希望。
眾所周知，中興、華為在2018年和2019年，先后遭到美國(guó)方面的制裁，中興還受過(guò)美方的兩次制裁。但不同的是，中興很多芯片業(yè)務(wù)原本都是依靠美國(guó)公司，處理方式也截然不同，華為最近的進(jìn)展情況可能大家都很熟悉，那中興這邊又是如何呢？
經(jīng)歷過(guò)風(fēng)波之后，中興也多次表態(tài)會(huì)加強(qiáng)自研芯片業(yè)務(wù)?？偛眯熳雨?yáng)曾在股東大會(huì)上表示，加大中興微電子在芯片領(lǐng)域的研發(fā)投入，比如基帶芯片、5G傳輸交換芯片、IP芯片等。這段時(shí)間，中興一直在“埋頭苦干”，以至于我們一直將視線(xiàn)放在了華為以及臺(tái)積電等身上。
中興能夠在5nm方面取得成功，與其研發(fā)的高投入是密不可分的。根據(jù)中興副總裁、首席運(yùn)營(yíng)官謝峻石的說(shuō)法，過(guò)去三年中興每年用在研發(fā)上的資金高達(dá)121億元。
據(jù)悉，這些芯片不是5G SoC（片上系統(tǒng)），而是5G設(shè)備和基礎(chǔ)設(shè)施的核心部分，其中基于5nm的芯片將會(huì)帶來(lái)更高的性能和更低的功耗。中興總裁徐子陽(yáng)在最近的一次采訪(fǎng)中表示，公司正在開(kāi)發(fā)5nm芯片組，預(yù)計(jì)5G智能手機(jī)的功耗和重量將以每年20％的速度下降，但未透露有關(guān)正在開(kāi)發(fā)的芯片的更多細(xì)節(jié)。
在本月初的“中國(guó)5G發(fā)牌一周年”線(xiàn)上峰會(huì)上，中興通訊虛擬化產(chǎn)品首席科學(xué)家屠嘉順也表示，基于7nm工藝的多?；鶐酒蛿?shù)字中頻芯片成功實(shí)現(xiàn)算力提升功耗降低。而明年發(fā)布的5nm工藝芯片，那就更值得期待了。
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