SI2304DDS-T1-GE3

技術(shù)參數(shù)

品牌： VISHAY

型號(hào)： SI2304DDS-T1-GE3

批號(hào)： 2019+

封裝：

SOT-23

數(shù)量： 320000

制造商： Vishay

產(chǎn)品種類： MOSFET

RoHS： 是

技術(shù)： Si

安裝風(fēng)格： SMD/SMT

封裝 / 箱體： SOT-23-3

通道數(shù)量： 1 Channel

晶體管極性： N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓： 30 V

Id-連續(xù)漏極電流： 3.6 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： 60 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓： 10 V

Vgs th-柵源極閾值電壓： 1.2 V

Qg-柵極電荷： 6.7 nC

最小工作溫度： - 55 C

最大工作溫度： + 150 C

Pd-功率耗散： 1.7 W

配置： Single

通道模式： Enhancement

商標(biāo)名： TrenchFET

封裝： Cut Tape

封裝： MouseReel

封裝： Reel

系列： SI2

晶體管類型： 1 N-Channel

商標(biāo)： Vishay / Siliconix

正向跨導(dǎo) - 最小值： 11 S

下降時(shí)間： 5 ns

產(chǎn)品類型： MOSFET

上升時(shí)間： 12 ns

工廠包裝數(shù)量： 3000

子類別： MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間： 10 ns

典型接通延遲時(shí)間： 5 ns

零件號(hào)別名： SI2304DDS-GE3

單位重量： 8 mg

6月19日，美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS） 在《聯(lián)邦公報(bào)》上發(fā)布了新的臨時(shí)最終規(guī)則，該規(guī)則對(duì)《出口管理?xiàng)l例》（EAR）（15 CFR第730-774部分）進(jìn)行了修正，“實(shí)體清單”中由華為組織指定與建立5G應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)有關(guān)的技術(shù)將附加許可要求排除在外。

規(guī)則指出，鑒于美國在標(biāo)準(zhǔn)組織中的參與和領(lǐng)導(dǎo)的重要性，以及考慮到華為參與標(biāo)準(zhǔn)組織所引起的持續(xù)關(guān)注，該規(guī)則修訂了實(shí)體列表，以授權(quán)某些未經(jīng)許可的技術(shù)發(fā)布。

據(jù)悉，如果是出于開放性、平衡、正當(dāng)程序等目的而發(fā)布的技術(shù)，被發(fā)布為EAR99或僅出于反恐（AT）原因而在Commerce Control List中受控制的EAR技術(shù)，為有助于修訂或開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)，可能會(huì)發(fā)布給包括華為在內(nèi)的未經(jīng)許可的標(biāo)準(zhǔn)組織成員。

新規(guī)下，美企在特定場(chǎng)景就可以直接和華為披露、討論相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)，不再需要先向美國政府申報(bào)。去年 5 月，美國將華為列入“實(shí)體清單”，即美國公司向華為出售或轉(zhuǎn)讓該國技術(shù)需要美國商務(wù)部工業(yè)與安全局（BIS）發(fā)放許可。

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主營產(chǎn)品:ESD靜電二極管、TVS二極管、電池充電和管理電源、MOS管、LDO低功耗穩(wěn)壓管。

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