SI2302CDS-T1-GE3
技術(shù)參數(shù)
品牌： VISHAY
型號(hào)： SI2302CDS-T1-GE3
批號(hào)： 2019+
封裝： SOP8
數(shù)量： 320000
封裝/外殼： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
工作溫度： -55°C~150°C（TJ）
柵源電壓 Vgss： ±8V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）： 3.1A（Tc）
包裝： 剪切帶（CT） ，帶卷（TR）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期： 15 周
供應(yīng)商器件封裝： SOT-23-3（TO-236）
安裝類型： 表面貼裝(SMT)
不同 Id，Vgs時(shí)的 RdsOn（最大值）： 112毫歐@2.8A，4.5V
功率耗散（最大值）： 860mW（Ta），1.6W（Tc）
FET功能： -
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss） ： 405pF@10V
不同Vgs時(shí)的柵極電荷 （Qg） ： 10nC@4.5V
不同Id時(shí)的Vgs（th） ： 1V@250μA
驅(qū)動(dòng)電壓 ： 2.5V，4.5V
漏源極電壓（Vdss）： 20V
技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）
FET類型： P溝道
零件狀態(tài)： 在售
6月19日，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS） 在《聯(lián)邦公報(bào)》上發(fā)布了新的臨時(shí)最終規(guī)則，該規(guī)則對(duì)《出口管理?xiàng)l例》（EAR）（15 CFR第730-774部分）進(jìn)行了修正，“實(shí)體清單”中由華為組織指定與建立5G應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)有關(guān)的技術(shù)將附加許可要求排除在外。
規(guī)則指出，鑒于美國(guó)在標(biāo)準(zhǔn)組織中的參與和領(lǐng)導(dǎo)的重要性，以及考慮到華為參與標(biāo)準(zhǔn)組織所引起的持續(xù)關(guān)注，該規(guī)則修訂了實(shí)體列表，以授權(quán)某些未經(jīng)許可的技術(shù)發(fā)布。
據(jù)悉，如果是出于開放性、平衡、正當(dāng)程序等目的而發(fā)布的技術(shù)，被發(fā)布為EAR99或僅出于反恐（AT）原因而在Commerce Control List中受控制的EAR技術(shù)，為有助于修訂或開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)，可能會(huì)發(fā)布給包括華為在內(nèi)的未經(jīng)許可的標(biāo)準(zhǔn)組織成員。
新規(guī)下，美企在特定場(chǎng)景就可以直接和華為披露、討論相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)，不再需要先向美國(guó)政府申報(bào)。去年 5 月，美國(guó)將華為列入“實(shí)體清單”，即美國(guó)公司向華為出售或轉(zhuǎn)讓該國(guó)技術(shù)需要美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局（BIS）發(fā)放許可。
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