SI2300DS-T1-GE3 單N溝道 30 V 68 mΩ 3 nC 表面貼裝 功率 Mosfet - SOT-23

SI2300DS-T1-GE3產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)格

標(biāo)準(zhǔn)包裝 3，000

FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide

FET特點(diǎn) Logic Level Gate

漏極至源極電壓（VDSS） 30V

電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C 3.6A

Rds（最大）@ ID，VGS 68 mOhm @ 2.9A， 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id 1.5V @ 250μA

柵極電荷（Qg）@ VGS 10nC @ 10V

輸入電容（Ciss）@ Vds的 320pF @ 15V

功率 - 最大 1.7W

安裝類型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3 (TO-236)

包裝材料 Tape & Reel (TR)

包裝 3SOT-23

通道模式 Enhancement

最大漏源電壓 30 V

最大連續(xù)漏極電流 3.1 A

RDS -于 68@4.5V mOhm

最大門源電壓 ±12 V

典型導(dǎo)通延遲時間 10 ns

典型上升時間 15 ns

典型關(guān)閉延遲時間 20 ns

典型下降時間 11 ns

工作溫度 -55 to 150 °C

安裝 Surface Mount

標(biāo)準(zhǔn)包裝 Tape & Reel

最大門源電壓 ±12

歐盟RoHS指令 Compliant

最高工作溫度 150

標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 SOT-23

最低工作溫度 -55

渠道類型 N

封裝 Tape and_Reel

最大漏源電阻 68@4.5V

最大漏源電壓 30

每個芯片的元件數(shù) 1

供應(yīng)商封裝形式 SOT-23

最大功率耗散 1100

最大連續(xù)漏極電流 3.1

引腳數(shù) 3

鉛形狀 Gull-wing

單位包 3000

最小起訂量 3000

FET特點(diǎn) Logic Level Gate， 2.5V Drive

安裝類型 Surface Mount

電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 3.6A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id 1.5V @ 250μA

漏極至源極電壓（Vdss） 30V

供應(yīng)商設(shè)備封裝 SOT-23-3 (TO-236)

開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 68 mOhm @ 2.9A， 4.5V

FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide

功率 - 最大 1.7W

輸入電容（Ciss ） @ VDS 320pF @ 15V

閘電荷（Qg ） @ VGS 10nC @ 10V

封裝/外殼 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名稱 SI2300DS-T1-GE3CT

安裝風(fēng)格 SMD/SMT

晶體管極性 N-Channel

連續(xù)漏極電流 3.6 A

正向跨導(dǎo) - 閔 13 S

RDS（ON） 55 mOhms

功率耗散 1.7 W

最低工作溫度 - 55 C

封裝/外殼 TO-236

零件號別名 SI2300DS-GE3

配置 Single

最高工作溫度 + 150 C

漏源擊穿電壓 30 V

RoHS RoHS Compliant

柵極電荷Qg 6.5 nC

柵源電壓（最大值） ?12 V

工作溫度范圍 -55C to 150C

包裝類型 SOT-23

極性 N

類型 Power MOSFET

元件數(shù) 1

工作溫度分類 Military

漏源導(dǎo)通電壓 30 V

弧度硬化 No

Continuous Drain Current Id :3.6A

Drain Source Voltage Vds :30V

On Resistance Rds(on) :0.055ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V

Threshold Voltage Vgs :600mV

功耗 :1.7W

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-23

No. of Pins :3

5月11日消息，據(jù)外媒報道，美國白宮正在與英特爾和臺積電等芯片制造商談判，試圖說服他們在美國建廠生產(chǎn)更多更先進(jìn)的芯片，此舉最終可能導(dǎo)致蘋果的部分A系列芯片在美國國內(nèi)生產(chǎn)。

據(jù)悉，唐納德·特朗普(Donald Trump)政府熱衷于在美國建設(shè)新的芯片代工廠，以減少在關(guān)鍵技術(shù)上對亞洲工廠的依賴。新型冠狀病毒疫情引發(fā)的問題證明了存在供應(yīng)鏈中斷的可能性，這促使美國官員們再次嘗試說服公司將部分生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到美國。

美國政府官員正在與英特爾和臺積電就在美國境內(nèi)建設(shè)新工廠進(jìn)行談判。雖然英特爾的部分芯片生產(chǎn)確實已經(jīng)在美國進(jìn)行，但談判的中心是說服該公司擴(kuò)大在美國生產(chǎn)，而臺積電則被希望建造其第一家美國芯片工廠。

AD8505ARJZ AD8532ARZ-REEL7 AD8534ARZ-REEL AD8541ARTZ-REEL7 AD8542ARZ-REEL7 AD8544ARUZ AD8544ARZ AD8613AUJZ AD8617ARZ-REEL7 AD8692ARZ-REEL7 AD8694ARZ-REEL7 ADA4505-1ARJZ

018年的iPhone，遭遇了最近幾年里最大的挫折，創(chuàng)新不足和售價過高，成了蘋果最被詬病的地方。2019款新iPhone，曾被視作是蘋果的翻身之戰(zhàn)，但“致創(chuàng)新”的發(fā)布會、審美倒退的三攝外觀和依然高昂的價格，都引發(fā)了新一輪的嘲諷和不滿。

iPhone 11、iPhone 11 Pro和iPhone 11 Pro Max是蘋果今年交出的答卷，我們已經(jīng)拿到了其中最貴的一款。它能拿到多少分？我們體驗后再來給答案。

外觀：精致的丑

從iPhone 6時代開始放飛自我后，我們已經(jīng)不再相信蘋果在手機(jī)上的審美了。iPhone 11 Pro給我的感覺尤其不妙，后置三攝呈現(xiàn)三角排列，在平整的后蓋上顯得尤為突兀。語言是蒼白的，真實體驗后，我想很少會有人對iPhone 11系列的外觀感到滿意吧。

有趣的是，和浴霸三攝的丑出天際相對應(yīng)的，iPhone 11 Pro Max的做工很精致，機(jī)身設(shè)計的整齊劃一、不同部件銜接處的嚴(yán)絲合縫，這些以往蘋果產(chǎn)品上的優(yōu)點(diǎn)全盤保留了下來。如果只盯著它的某一處細(xì)節(jié)看，的確還是有一種賞心悅目的感覺。

性能續(xù)航都很強(qiáng)，充電及格了

1、A13很強(qiáng)，但優(yōu)勢暫時還發(fā)揮不出來

歷代iPhone中，唯一能不讓人失望的應(yīng)該就是芯片的性能表現(xiàn)，常年都能對同時代的安卓旗艦處理器形成碾壓之勢。簡單回顧一下，iPhone 11系列上的A13芯片，依然是2顆大核+4顆小核的架構(gòu)，大小核性能提升了20%，功耗則分別降低了30%和40%。

我們用iPhone 11 Pro Max在安兔兔中跑了個分，最后的成績是448770分，在眾多iOS設(shè)備中名列前茅，但總成績相比兩款采用A12X芯片的iPad Pro相比還是略微遜色，主要還是在GPU上拖了后腿。

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